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MOS管規格書重要參數分析
ID:MAX漏源電流.是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過 ID .此參數會隨結溫度的上升而有所減額.
IDM: MAX脈沖漏源電流.體現一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關系，此參數會隨結溫度的上升而有所減額.
PD: 最大耗散功率.是指場效應管性能不變壞時所允許的MAX漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小于 PDSM 并留有一定余量.此參數一般會隨結溫度的上升而有所減額.
VGS: MAX柵源電壓.
Tj: MAX工作結溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度,并留有一定裕量.
TSTG: 存儲溫度范圍
V(BR)DSS : 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0 時，場效應管正常工作所能承受的MAX漏源電壓。這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS 。它具有正溫度特性.故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮。
△V(BR)DSS/ △ Tj : 漏源擊穿電壓的溫度系數，一般為 0.1V/ ℃。
RDS(on) : 在特定的 VGS、結溫及漏極電流的條件下， MOSFET 導通時漏源間的MAX阻抗。它是一個非常重要的參數,決定了 MOSFET 導通時的消耗功率.此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大。 故應以此參數在MAX工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算。
VGS(th) : 開啟電壓(閥值電壓)。當外加柵極控制電壓 VGS超過 VGS(th) 時,漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，這條件下 ID 等于 250 uA時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。
IDSS : 飽和漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時的漏源電流.一般在微安級。
IGSS : 柵源驅動電流或反向電流。由于 MOSFET 輸入阻抗很大，IGSS 一般在納安級。
gfs : 跨導，是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度。
Qgs: 柵源充電電量。
Qgd : 柵漏充電(考慮到 Miller 效應)電量。
Qg : 柵極總充電電量。
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