在功率器件封裝中，即使經(jīng)過多次熱循環(huán)和機械振動，TS-9853G依然能夠保持良好的連接性能，減少因EBO問題導(dǎo)致的產(chǎn)品失效，為功率器件的穩(wěn)定運行提供了有力保障。在導(dǎo)熱性能方面，TS-9853G的導(dǎo)熱率達到130W/mK，處于半燒結(jié)銀膠的較高水平。這使得它在需要高效散熱的應(yīng)用中能夠發(fā)揮出色的作用，能夠快速將電子元件產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去，降低芯片溫度，提高電子設(shè)備的性能和穩(wěn)定性。它在固化過程中能夠形成更加均勻和穩(wěn)定的連接結(jié)構(gòu)，增強了銀膠與電子元件之間的結(jié)合力，從而提高了產(chǎn)品的長期可靠性。高導(dǎo)熱銀膠，提升設(shè)備可靠性。倒裝芯片工藝半燒結(jié)銀膠價目表

在實際應(yīng)用案例中，在某品牌的智能手表生產(chǎn)中，由于手表內(nèi)部空間緊湊，電子元件密集，對散熱材料的要求極高。同時，為了滿足手表的可穿戴特性，材料還需要具備一定的柔韌性。TS - 9853G 被應(yīng)用于該智能手表的芯片與散熱基板之間的連接，其高導(dǎo)熱性能有效地將芯片產(chǎn)生的熱量導(dǎo)出，保證了芯片的正常工作溫度。其良好的柔韌性和耐化學(xué)腐蝕性，使得在手表日常使用過程中，即使受到一定的彎曲和拉伸，以及接觸到汗水等化學(xué)物質(zhì)，銀膠依然能夠保持穩(wěn)定的性能，確保了手表的可靠性和使用壽命 。倒裝芯片工藝半燒結(jié)銀膠價目表微米銀膠成本低，大眾電子適用。

電子封裝是高導(dǎo)熱銀膠的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一。在電子封裝過程中，高導(dǎo)熱銀膠主要用于芯片與基板、基板與散熱器之間的連接與散熱。隨著芯片集成度的不斷提高和尺寸的不斷縮小，芯片在工作時產(chǎn)生的熱量越來越多，如果不能及時有效地將熱量導(dǎo)出，將會導(dǎo)致芯片溫度過高，影響其性能和可靠性，甚至縮短其使用壽命。高導(dǎo)熱銀膠具有良好的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性，能夠在實現(xiàn)電氣連接的同時，迅速將芯片產(chǎn)生的熱量傳遞到基板和散熱器上，從而有效地降低芯片的工作溫度。例如，在集成電路（IC）封裝中，高導(dǎo)熱銀膠被廣泛應(yīng)用于倒裝芯片（Flip - Chip）、球柵陣列（BGA）等先進封裝技術(shù)中，以提高封裝的散熱性能和可靠性。

TS - 1855 在加工性方面也表現(xiàn)出色。它具有長達 6 小時的粘結(jié)時間，這為電子封裝工藝提供了充足的操作時間，使得生產(chǎn)過程更加從容和高效。同時，它還具備可印刷性，能夠滿足不同的封裝工藝需求，無論是高精度的絲網(wǎng)印刷還是自動化的點膠工藝，TS - 1855 都能良好適配 。在 LED 封裝中，可印刷的 TS - 1855 能夠精確地涂覆在芯片與基板之間，實現(xiàn)高效的散熱和電氣連接，并且在較長的粘結(jié)時間內(nèi)，操作人員有足夠的時間進行調(diào)整和優(yōu)化，提高封裝質(zhì)量。TS - 985A - G6DG，性能超卓。

與傳統(tǒng)散熱材料相比，高導(dǎo)熱銀膠的優(yōu)勢明顯。傳統(tǒng)的散熱材料如普通硅膠，其導(dǎo)熱率較低，一般在 1 - 3W/mK 之間，無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效散熱的需求。而高導(dǎo)熱銀膠的導(dǎo)熱率可達到 10W - 80W/mK，是普通硅膠的數(shù)倍甚至數(shù)十倍，能夠在短時間內(nèi)將大量熱量傳導(dǎo)出去，很大提高了散熱效率 。在一些對散熱要求極高的應(yīng)用場景中，高導(dǎo)熱銀膠的高導(dǎo)熱性能優(yōu)勢更加突出。在數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器中，大量的芯片同時工作會產(chǎn)生巨大的熱量，如果不能及時散熱，服務(wù)器的性能將受到嚴(yán)重影響。高導(dǎo)熱銀膠能夠?qū)⑿酒瑹崃靠焖賯鲗?dǎo)至散熱系統(tǒng)，確保服務(wù)器在長時間高負載運行下的穩(wěn)定性，提高數(shù)據(jù)處理效率 。不同銀膠導(dǎo)電，性能各有千秋。無腐蝕半燒結(jié)銀膠服務(wù)熱線

航空航天靠它，散熱穩(wěn)定運行。倒裝芯片工藝半燒結(jié)銀膠價目表

燒結(jié)銀膠的燒結(jié)原理是基于固態(tài)擴散機制和液態(tài)燒結(jié)輔助機制。在固態(tài)擴散機制中，當(dāng)燒結(jié)溫度升高到一定程度時，銀原子獲得足夠的能量開始活躍，銀粉顆粒之間通過原子的擴散作用逐漸形成連接。在燒結(jié)初期，銀粉顆粒之間先是通過點接觸開始形成燒結(jié)頸，隨著原子不斷擴散，顆粒間距離縮小，表面自由能降低，頸部逐漸長大變粗并形成晶界，晶界滑移帶動晶粒生長 ，坯體中的顆粒重排，接觸處產(chǎn)生鍵合，空隙變形、縮小。在燒結(jié)中期，顆粒和顆粒開始形成致密化連接，擴散機制包括表面擴散、表面晶格擴散、晶界擴散和晶界晶格擴散等，顆粒間的頸部繼續(xù)長大，晶粒逐步長大并且顆粒之間的晶界逐漸形成連續(xù)網(wǎng)絡(luò)，氣孔相互孤立，并逐漸形成球形，位于晶粒界面處或晶粒結(jié)合點處。倒裝芯片工藝半燒結(jié)銀膠價目表