TANAKA AuRoFUSE?在傳感器和 MEMS（微機電系統(tǒng)）領域的應用展現(xiàn)了該技術在精密制造領域的巨大潛力。產(chǎn)品在 MEMS 等氣密封裝應用中表現(xiàn)出色，這主要得益于其獨特的密封性能和熱壓工藝特性。在MEMS 氣密封裝應用中，AuRoFUSE?技術具有獨特的優(yōu)勢。"AuRoFUSE?" 膏材所形成的密封外框，經(jīng)熱壓（200℃、100MPa）使金粒子燒結體變形后，組織變得更加精密，從而實現(xiàn)高真空氣密封裝，氦氣泄漏率可達 1.0×10^-13 Pa?m3/s。這一極高的密封性能對于需要高真空環(huán)境的 MEMS 器件至關重要。。。可靠的燒結金膠，在功率器件中使用，工藝兼容性強。燒結金膠工藝

金膠中的金納米粒子可作為活性成分，在特定條件下與材料表面發(fā)生化學反應或物理吸附，形成均勻、穩(wěn)定的涂層。這種涂層可能賦予材料多種優(yōu)異性能，如提高材料的耐腐蝕性、增強材料表面的生物相容性（對于生物醫(yī)用材料）、改善材料的光學性能等。例如，在金屬材料表面涂覆燒結金膠形成的涂層，金納米粒子之間通過燒結過程形成緊密結合，能夠有效阻擋腐蝕介質與金屬基體的接觸，從而提高金屬材料的耐腐蝕性能。TANAKA燒結金膠在材料表面形成涂層時，金納米粒子的聚集和燒結過程可能影響涂層的微觀結構和性能，通過精確控制燒結條件，有望獲得理想的表面涂層性能。。。123試驗燒結金膠發(fā)展趨勢低溫的燒結金膠，含亞微米金粒子，降低能耗。

在第三代半導體器件應用中，AuRoFUSE?技術具有不可替代的優(yōu)勢。使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）的次世代功率半導體，操作溫度有超過300℃的情形。如果使用金-錫類焊料接合，材料將會熔融，但使用"AuRoFUSE?"接合，即使在300℃高溫下也能保持穩(wěn)定的接合性能。這一高溫穩(wěn)定性特性使得AuRoFUSE?成為SiC和GaN功率器件封裝的理想選擇。隨著新能源汽車、5G基站、工業(yè)自動化等領域對高效率功率器件需求的快速增長，能夠在高溫下穩(wěn)定工作的封裝材料變得越來越重要。。。

在粒徑控制方面，產(chǎn)品采用亞微米級（次微米）金粒子，通過精確的粒徑控制技術實現(xiàn)了均勻的粒徑分布。這種亞微米級的粒徑設計不僅賦予了材料優(yōu)異的低溫燒結特性，還確保了燒結后形成的金層具有良好的致密性和均勻性。材料的燒結機理體現(xiàn)了 TANAKA 在納米材料科學領域的技術深度。當 AuRoFUSE?被加熱至 200℃時，溶劑會先蒸發(fā)，即便不施壓，Au 粒子也可實現(xiàn)燒結結合，獲得約 30MPa 的充分接合強度。這種無壓燒結特性不僅簡化了工藝要求，還降低了對設備的要求。更重要的是，產(chǎn)品具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性，可在 1064℃的高溫下保持穩(wěn)定性能。這一特性使得 AuRoFUSE?特別適合在高溫環(huán)境下工作的功率器件和傳感器應用。。。先進的燒結金膠，降低能耗，應用于 LED 封裝。

TANAKA 燒結金膠產(chǎn)品具有多項獨特的技術特點，這些特點構成了其在市場競爭中的重要優(yōu)勢。首先，產(chǎn)品采用不含高分子等的球狀次微米 Au 粒子，在約 150℃無壓下即可開始燒結。這種低溫燒結特性不僅降低了能耗，還避免了高溫對器件的熱損傷。其次，產(chǎn)品具有靈活的燒結模式選擇：無壓燒結時可獲得多孔燒結體，通過加壓可獲得致密的 Au。這種雙重模式設計為不同應用場景提供了定制化的解決方案，既可以滿足需要應力緩沖的應用，也可以滿足需要高導熱性的應用。燒結金膠創(chuàng)新的，在功率器件中使用，工藝兼容性強。學生用的燒結金膠方法

燒結金膠先進的，用于 MEMS 氣密封裝，優(yōu)化光學性能。燒結金膠工藝

在MEMS 氣密封裝應用中，AuRoFUSE?技術具有獨特的優(yōu)勢。"AuRoFUSE?" 膏材所形成的密封外框，經(jīng)熱壓（200℃、100MPa）使金粒子燒結體變形后，組織變得更加精密，從而實現(xiàn)高真空氣密封裝，氦氣泄漏率可達 1.0×10^-13 Pa?m3/s。這一極高的密封性能對于需要高真空環(huán)境的 MEMS 器件至關重要。產(chǎn)品在 MEMS 應用中的另一個重要優(yōu)勢是其圖案形成能力。2013 年 12 月起，田中貴金屬工業(yè)開始提供使用次微米級金粒子膏材 "AuRoFUSE?"，通過高精密網(wǎng)版印刷法在基板上一次印刷即可形成微細復合圖案的技術。這一技術使得復雜的 MEMS 結構能夠通過簡單的印刷工藝實現(xiàn)，很好降低了制造成本和工藝復雜度。燒結金膠工藝