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西寧多芯MT-FA光組件耦合技術(shù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-10-10

多芯MT-FA光組件作為高速光通信領(lǐng)域的重要器件,其技術(shù)特性與市場(chǎng)需求呈現(xiàn)出高度協(xié)同的發(fā)展態(tài)勢(shì)。該組件通過(guò)精密研磨工藝將光纖陣列加工成特定角度的反射端面,結(jié)合低損耗MT插芯技術(shù),實(shí)現(xiàn)了多路光信號(hào)的高效并行傳輸。在技術(shù)參數(shù)層面,典型產(chǎn)品支持8芯至24芯的密集通道排布,插入損耗可控制在≤0.35dB,回波損耗≥60dB,工作溫度范圍覆蓋-25℃至+70℃,能夠滿足數(shù)據(jù)中心、5G基站及AI算力集群對(duì)高密度、低時(shí)延光連接的需求。其42.5°全反射端面設(shè)計(jì)尤為關(guān)鍵,該結(jié)構(gòu)通過(guò)優(yōu)化光路反射路徑,使光信號(hào)在微米級(jí)空間內(nèi)完成90度轉(zhuǎn)向,明顯提升了光模塊內(nèi)部的空間利用率。例如,在800GQSFP-DD光模塊中,多芯MT-FA組件可同時(shí)承載8路100Gbps信號(hào),將傳統(tǒng)垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)陣列與光電探測(cè)器(PD)陣列的耦合效率提升至92%以上,較單通道方案減少60%的布線復(fù)雜度。多芯MT-FA光組件的耐輻射特性,適用于航天器載光通信系統(tǒng)。西寧多芯MT-FA光組件耦合技術(shù)

西寧多芯MT-FA光組件耦合技術(shù),多芯MT-FA光組件

在數(shù)據(jù)中心高速光互連架構(gòu)中,多芯MT-FA組件憑借其高密度集成與低損耗傳輸特性,已成為支撐400G/800G乃至1.6T光模塊的重要器件。該組件通過(guò)精密研磨工藝將光纖陣列端面加工為特定角度,結(jié)合低損耗MT插芯實(shí)現(xiàn)多路光信號(hào)的并行傳輸。以42.5°全反射設(shè)計(jì)為例,其通過(guò)端面全反射結(jié)構(gòu)將光信號(hào)高效耦合至PD陣列,完成光電轉(zhuǎn)換的同時(shí)明顯提升通道密度。在800G光模塊中,12芯MT-FA組件可實(shí)現(xiàn)單模塊12通道并行傳輸,較傳統(tǒng)方案提升3倍連接密度,滿足AI訓(xùn)練集群對(duì)海量數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)交互的需求。其插入損耗≤0.35dB、回波損耗≥60dB的技術(shù)指標(biāo),確保了光信號(hào)在長(zhǎng)距離、高負(fù)荷運(yùn)行環(huán)境下的穩(wěn)定性,有效降低系統(tǒng)誤碼率。此外,多芯MT-FA支持8°至45°多角度定制,可適配硅光模塊、CPO共封裝光學(xué)等新型架構(gòu),為數(shù)據(jù)中心向1.6T速率演進(jìn)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。吉林多芯MT-FA 1.6T/3.2T光模塊在超算中心,多芯MT-FA光組件支持InfiniBand網(wǎng)絡(luò)的高密度光互連需求。

西寧多芯MT-FA光組件耦合技術(shù),多芯MT-FA光組件

多芯MT-FA光組件作為高速光模塊的重要器件,其測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)需覆蓋光學(xué)性能、機(jī)械結(jié)構(gòu)與環(huán)境適應(yīng)性三大維度。在光學(xué)性能方面,插入損耗與回波損耗是重要指標(biāo)。根據(jù)行業(yè)規(guī)范,多模MT-FA組件在850nm波長(zhǎng)下的標(biāo)準(zhǔn)插入損耗應(yīng)≤0.7dB,低損耗版本可優(yōu)化至≤0.35dB;單模組件在1310nm/1550nm波長(zhǎng)下,標(biāo)準(zhǔn)損耗同樣需控制在≤0.7dB,低損耗版本≤0.3dB。回波損耗則要求多模組件≥25dB,單模組件≥50dB(PC端面)或≥60dB(APC端面)。這些指標(biāo)直接關(guān)聯(lián)光信號(hào)傳輸效率與系統(tǒng)穩(wěn)定性,例如在400G/800G光模塊中,若插入損耗超標(biāo)0.1dB,可能導(dǎo)致信號(hào)誤碼率上升30%。測(cè)試方法需采用高精度功率計(jì)與穩(wěn)定光源,通過(guò)對(duì)比輸入輸出光功率計(jì)算損耗值,同時(shí)利用偏振控制器模擬不同偏振態(tài)下的回波特性,確保組件在全偏振范圍內(nèi)滿足回波損耗要求。

從技術(shù)實(shí)現(xiàn)層面看,多芯MT-FA與DAC的協(xié)同需攻克兩大重要挑戰(zhàn):一是光-電-光轉(zhuǎn)換的時(shí)延一致性,二是多通道信號(hào)的同步校準(zhǔn)。MT-FA的V槽pitch公差控制在±0.5μm以內(nèi),確保每芯光纖的物理位置精度,配合高精度端面研磨工藝,可使12芯通道的插入損耗差異小于0.1dB,回波損耗穩(wěn)定在60dB以上,為DAC系統(tǒng)提供了均勻的傳輸通道。在實(shí)際應(yīng)用中,DAC的數(shù)字信號(hào)首先通過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片轉(zhuǎn)換為多路電調(diào)制信號(hào),再經(jīng)VCSEL陣列轉(zhuǎn)換為光信號(hào),通過(guò)MT-FA的并行光纖傳輸至接收端。接收端的PD陣列將光信號(hào)還原為電信號(hào)后,由DAC的模擬輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器或顯示器。這一過(guò)程中,MT-FA的42.5°端面設(shè)計(jì)通過(guò)全反射原理將光路轉(zhuǎn)向90°,使光模塊的厚度從傳統(tǒng)方案的12mm壓縮至6mm,適配了DAC系統(tǒng)對(duì)設(shè)備緊湊性的要求。同時(shí),MT-FA支持PC/APC雙研磨工藝,可靈活適配不同DAC系統(tǒng)的接口標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)一步提升了技術(shù)方案的通用性。多芯MT-FA光組件的42.5°全反射設(shè)計(jì),可高效完成光路轉(zhuǎn)90°耦合。

西寧多芯MT-FA光組件耦合技術(shù),多芯MT-FA光組件

多芯MT-FA光組件的技術(shù)突破正重塑存儲(chǔ)設(shè)備的架構(gòu)設(shè)計(jì)范式。傳統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)采用分離式光模塊與電背板組合方案,導(dǎo)致信號(hào)轉(zhuǎn)換損耗占整體延遲的40%以上,而MT-FA通過(guò)將光纖陣列直接集成至ASIC芯片封裝層,實(shí)現(xiàn)了光信號(hào)與電信號(hào)的零距離轉(zhuǎn)換。這種共封裝光學(xué)(CPO)架構(gòu)使存儲(chǔ)設(shè)備的端口密度提升3倍,單槽位帶寬突破1.6Tbps,同時(shí)將功耗降低至每Gbps0.5W以下。在可靠性方面,MT-FA組件通過(guò)200次以上插拔測(cè)試和-25℃至+70℃寬溫工作驗(yàn)證,確保了存儲(chǔ)集群在7×24小時(shí)運(yùn)行中的穩(wěn)定性。特別在全閃存存儲(chǔ)陣列中,MT-FA支持的多模光纖方案可將400G接口成本降低35%,而單模方案則通過(guò)模場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)將耦合損耗壓縮至0.1dB以內(nèi),使長(zhǎng)距離存儲(chǔ)互聯(lián)的誤碼率降至10^-15量級(jí)。隨著存儲(chǔ)設(shè)備向1.6T時(shí)代演進(jìn),MT-FA組件正在突破傳統(tǒng)硅光集成限制,通過(guò)與薄膜鈮酸鋰調(diào)制器的混合集成,實(shí)現(xiàn)了光信號(hào)調(diào)制效率與能耗比的雙重優(yōu)化。這種技術(shù)演進(jìn)不僅推動(dòng)了存儲(chǔ)設(shè)備從帶寬競(jìng)爭(zhēng)向能效競(jìng)爭(zhēng)的轉(zhuǎn)型,更為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心構(gòu)建低熵存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)提供了關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。多芯MT-FA光組件的通道均勻性優(yōu)化,使多路信號(hào)傳輸時(shí)延差小于5ps。陜西多芯MT-FA光組件耦合技術(shù)

多芯 MT-FA 光組件具備良好抗腐蝕性能,適應(yīng)潮濕等惡劣工作環(huán)境。西寧多芯MT-FA光組件耦合技術(shù)

在高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域,多芯MT-FA光組件憑借其高密度并行傳輸特性,已成為突破算力集群帶寬瓶頸的重要器件。以12芯MT-FA為例,其通過(guò)陣列排布技術(shù)將12根光纖集成于微型插芯中,配合42.5°端面全反射研磨工藝,可在單模塊內(nèi)實(shí)現(xiàn)12路光信號(hào)的同步傳輸。這種設(shè)計(jì)使光模塊接口密度較傳統(tǒng)方案提升3倍以上,明顯優(yōu)化了HPC系統(tǒng)中服務(wù)器與交換機(jī)間的互聯(lián)效率。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,采用多芯MT-FA的400GQSFP-DD光模塊,在2km傳輸距離下可實(shí)現(xiàn)低于0.35dB的插入損耗,回波損耗超過(guò)60dB,滿足HPC場(chǎng)景對(duì)信號(hào)完整性的嚴(yán)苛要求。其低損耗特性源于高精度V槽加工工藝,V槽pitch公差控制在±0.5μm以內(nèi),確保多芯光纖排列的幾何精度,從而降低耦合過(guò)程中的光功率損耗。西寧多芯MT-FA光組件耦合技術(shù)

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