共基放大電路以基極接地，輸入信號加在 EB 間，輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區，優勢是頻率響應好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號放大；缺點是電流放大倍數 < 1（Ai≈α<1，α=IC/IE），輸入電阻小。常用于高頻通信、射頻電路，如收音機的中頻放大電路、手機的射頻信號預處理電路。例如在FM 收音機，共基電路將調諧后的高頻信號（10.7MHz）放大，同時避免高頻信號因極間電容衰減，保證接收靈敏度。貼片封裝 SOT-23 比直插 TO-92 散熱好，PCM 可提升 10%-20%。線上渠道驅動放大NPN型晶體三極管散熱片設計

要使 NPN 型小功率晶體三極管正常工作，必須滿足特定的偏置條件，即發射結正向偏置、集電結反向偏置。發射結正向偏置是指在基極和發射極之間施加正向電壓，對于硅材料的三極管，這個正向電壓通常在 0.6-0.7V 左右，此時發射區的自由電子在正向電場的作用下，會大量越過發射結進入基區；集電結反向偏置則是在基極和集電極之間施加反向電壓，該電壓值通常比發射結正向電壓大得多，反向電場會阻止基區的空穴向集電區移動，同時能將基區中未與空穴復合的自由電子 “拉” 向集電區。當滿足這兩個偏置條件時，三極管內部會形成較大的集電極電流，且集電極電流會隨著基極電流的微小變化而發生明顯變化，從而實現電流放大功能。定制需求小信號NPN型晶體三極管價格優惠共射放大實驗測電壓放大倍數和阻抗，觀察失真現象。

常見故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO，排查時用萬用表測 CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無窮大（開路），說明燒毀，需更換參數匹配的三極管；二是放大能力下降，表現為輸出信號幅度減小，測 β 值若明顯低于標稱值，需更換三極管；三是開關失控，導通時 CE 壓降過大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時 IC 過大（漏電），需更換質量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補償電路（如在 RB 旁并聯負溫度系數熱敏電阻）。

共集放大電路（射極輸出器）以集電極接地，輸入信號加在 BC 間，輸出信號從 BE 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區， 重要特點是電壓放大倍數≈1（Av<1），輸出與輸入同相（無反相），輸入電阻高（ri≈βRL，RL 為負載電阻）、輸出電阻低（ro≈ri/β）。雖無電壓放大能力，但帶負載能力強，常用于多級放大電路的輸入級、輸出級或隔離級。例如在傳感器信號采集電路時，共集電路作為輸入級，高輸入電阻可減少對傳感器輸出信號的衰減；在 LED 驅動電路中，作為輸出級，低輸出電阻可穩定 LED 工作電流。Cbc 易形成密勒效應，大幅降低電路上限截止頻率，高頻應用需選小 Cbc 型號。

振蕩電路無需外部輸入信號即可產生周期性信號，NPN 型小功率三極管作為放大器件，為電路提供能量補償。振蕩需滿足相位平衡（總相移 360°）和幅值平衡（放大倍數 × 反饋系數≥1）。例如 RC 橋式振蕩電路，三極管組成共射放大電路（提供 180° 相移），RC 串并聯網絡（提供 180° 相移）實現正反饋，產生低頻正弦波（頻率 f=1/(2πRC)），用于音頻信號源；LC 振蕩電路（如哈特萊振蕩電路），三極管放大信號，LC 諧振回路選頻并反饋，產生高頻信號（f≈1/(2π√(LC))），用于無線電發射機的載波產生。共射電路有截止失真，因靜態工作點低，可減小 RB 或提高 VCC 避免。汽車電子高精度NPN型晶體三極管

放大能力下降表現為輸出幅度減，多因 β 值明顯低于標稱值。線上渠道驅動放大NPN型晶體三極管散熱片設計

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長，散熱路徑長，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設備（如手機、智能手環）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環境（引腳散熱好），如工業控制設備中的繼電器驅動電路，便于維修更換。線上渠道驅動放大NPN型晶體三極管散熱片設計

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