共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點過低，輸入信號負(fù)半周使三極管進(jìn)入截止區(qū)，輸出信號正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點過高，輸入信號正半周使三極管進(jìn)入飽和區(qū)，輸出信號負(fù)半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當(dāng)輸入正弦信號時，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ，降低 ICQ。老式礦石收音機用鍺管，因成本低，對性能要求也低。科研領(lǐng)域批量采購NPN型晶體三極管響應(yīng)時間10ns

共基放大電路以基極作為公共電極，輸入信號加在發(fā)射極和基極之間，輸出信號從集電極和基極之間取出，NPN 型小功率三極管在該電路中工作在放大區(qū)。共基放大電路的突出特點是頻率響應(yīng)好，上限截止頻率高，這是因為基極交流接地，基極電容的影響較小，減少了載流子在基區(qū)的渡越時間對高頻信號的影響，因此常用于高頻放大電路中，如射頻信號放大、高頻振蕩電路等。與共射放大電路相比，共基放大電路的電壓放大倍數(shù)較高，但電流放大倍數(shù)小于 1，即沒有電流放大能力，能實現(xiàn)電壓放大，且輸出信號與輸入信號同相位。在實際應(yīng)用時，共基放大電路常與共射放大電路組合使用，構(gòu)成共射 - 共基組合放大電路，既能獲得較高的電壓放大倍數(shù)，又能擁有良好的高頻特性，滿足高頻信號放大的需求，例如在通信設(shè)備的高頻放大模塊中，就常采用這種組合電路。汽車電子NPN型晶體三極管機構(gòu)認(rèn)證檢測其好壞可先用萬用表測PN結(jié)導(dǎo)通性，再估測β，正向壓降異常或β過低均說明器件可能失效。

要讓 NPN 型小功率三極管實現(xiàn)放大或開關(guān)功能，需滿足特定偏置：發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置指基極電壓（VB）高于發(fā)射極電壓（VE），硅管正向壓降約 0.6-0.7V，此時發(fā)射區(qū)自由電子在電場作用下越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置指集電極電壓（VC）高于基極電壓（VB），反向電場阻止基區(qū)空穴向集電區(qū)移動，同時 “牽引” 基區(qū)未復(fù)合的自由電子進(jìn)入集電區(qū)。若偏置條件不滿足，如發(fā)射結(jié)反偏，三極管會進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)；若集電結(jié)正偏，則可能進(jìn)入飽和狀態(tài)，無法實現(xiàn)正常放大。

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因為基極開路時，集電結(jié)的反向擊穿會通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電極開路時，發(fā)射極與基極之間的反向電壓，由于發(fā)射結(jié)通常工作在正向偏置狀態(tài)，對反向電壓的耐受能力較弱，所以 V (BR) EBO 的數(shù)值較小，一般在幾伏到十幾伏之間。在電路設(shè)計中，必須確保三極管實際工作時的電壓不超過對應(yīng)的反向擊穿電壓，否則會導(dǎo)致三極管損壞。射極輸出器輸出電阻低，需與低阻抗負(fù)載匹配，才能穩(wěn)定輸出。

振蕩電路無需外部輸入信號即可產(chǎn)生周期性信號，NPN 型小功率三極管作為放大器件，為電路提供能量補償。振蕩需滿足相位平衡（總相移 360°）和幅值平衡（放大倍數(shù) × 反饋系數(shù)≥1）。例如 RC 橋式振蕩電路，三極管組成共射放大電路（提供 180° 相移），RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)（提供 180° 相移）實現(xiàn)正反饋，產(chǎn)生低頻正弦波（頻率 f=1/(2πRC)），用于音頻信號源；LC 振蕩電路（如哈特萊振蕩電路），三極管放大信號，LC 諧振回路選頻并反饋，產(chǎn)生高頻信號（f≈1/(2π√(LC))），用于無線電發(fā)射機的載波產(chǎn)生。5V 繼電器驅(qū)動，基極電阻選 4.3kΩ，確保 IB=1mA，滿足驅(qū)動需求。線下市場高速開關(guān)NPN型晶體三極管直插封裝

共射電路有截止失真，因靜態(tài)工作點低，可減小 RB 或提高 VCC 避免。科研領(lǐng)域批量采購NPN型晶體三極管響應(yīng)時間10ns

NPN 型小功率晶體三極管的 重要半導(dǎo)體材料多為硅，少數(shù)特殊場景用鍺。硅材料的優(yōu)勢在于禁帶寬度約 1.1eV，常溫下反向漏電流遠(yuǎn)小于鍺管，穩(wěn)定性更強，這也是硅管成為主流的關(guān)鍵原因。例如常用的 901 系列、8050 系列均為硅管，在 25℃環(huán)境下，ICBO（集電極 - 基極反向飽和電流）通常小于 10nA；而鍺管 ICBO 可達(dá)數(shù) μA，在對成本極端敏感且工作電流極小的簡易電路（如老式礦石收音機）中應(yīng)用。此外，硅管的溫度耐受范圍更廣（-55℃~150℃），能適配多數(shù)民用電子設(shè)備的工作環(huán)境，鍺管則因溫度穩(wěn)定性差，逐漸被硅管取代。科研領(lǐng)域批量采購NPN型晶體三極管響應(yīng)時間10ns

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