我國真空滅 弧室行業(yè)經過20多年的努力，取得了長足發(fā)展，近年來己成長為可參與國際競爭的產業(yè)。 隨著我國電力需求的快速增長與電力行業(yè)的高速發(fā)展，真空開關市場向大容量、高電壓、 小型化、專業(yè)化、高可靠性、免維護、智能化方向邁進比如透明，便于觀察內部觸頭、等情況，表面光滑，不易污染、便于清潔處理，絕緣性能好、金屬與玻璃容易封接，缺點是容易炸裂、受外力容易破碎，而陶瓷外殼強度超過玻璃，但是不透明，無法觀察內部，不上釉的陶瓷表面易污染。金屬與陶瓷封接相對麻煩一些。 [1]就提高了真空滅弧室開斷電流的能力和使用壽命。金山區(qū)質量真空滅弧室設計

泛用于煤礦化工、石油冶金等部門，更適合在頻繁操作和環(huán)境惡劣的地方使用。陶瓷真空滅弧室傳統的排氣工藝主要方式是把部件組裝成待排期的滅弧室，然后裝架在排氣臺上。用烘箱加熱滅弧室使內部零件升溫把氣體排放出來，通過真空系統把這些氣體排出去，待滅弧室內氣體壓強低于1*10Pa時，再把它從排氣臺上封離，這樣真空滅弧室就制造完成。為了提高陶瓷真空滅弧室的生產效率，降**造成本，根據大量的科學研究和實踐，80年代初研究成功了陶瓷真空滅弧室“一次封排”工藝。是先把陶瓷真空滅弧室的零件釬焊成三大部件：動管芯，靜管芯、陶瓷絕緣外殼。按總裝配圖要求裝置成滅弧室，再把它放在高真空爐中進行釬焊，在升溫過程中，零件放氣被排出，滅弧室內達到高真空，在降溫過程中，各條釬焊焊縫被蜜蜂，使滅弧室排期和封接在高真空爐內一次完成。 [2]崇明區(qū)品牌真空滅弧室性能真空滅弧室的屏蔽系統主要由屏蔽筒，屏蔽罩和其他零件組成。

陶瓷真空滅弧室采用波紋陶瓷作絕緣外殼，觸頭為銅鎢碳化鎢合金材料，采用先進的一次封排工藝，具有體積小、絕緣水平高、截流值低、壽命長、維護簡單、無危險、無污染、噪音低等優(yōu)點。用其組裝的真空接觸器可頻繁操作各種電器設備，與熔斷器配合可組成F-C柜。陶瓷真空滅弧室，又名真空開關管，是新興起的一種新型、高性能中高壓電力開關的**部件，其主要作用是，通過管內真空優(yōu)良的絕緣性使中高壓電路切斷電源后能迅速熄弧并抑制電流，從而達到安全開斷電路和控制電網的作用，避免事故和意外的發(fā)生。陶瓷真空滅弧室相對于油滅弧開關具有節(jié)能、節(jié)材、防火、防爆、體積小、壽命長、維護費用低、運行可靠和無污染等特點，隨著近年來我國配電系統“無油化”改造的順利實施，真空滅弧室的應用越來越***。基于陶瓷真空滅弧室的眾多優(yōu)點，安全性能和***的市場應用，對于陶瓷真空滅弧室的產品性能和產品質量就有著極高的要求

在有觸點電器中，觸頭接通和分斷電流的過程往往伴隨著電弧的產生及熄滅。電弧是一種氣體放電現象，對電器具有一定的危害。通過對電弧現象的介紹，分析其產生和熄滅的原因，介紹電器常用的滅弧方法及裝置，以解決電弧在電器中的影響。電弧是氣體放電的一種形式。氣體放電分為自持放電與非自持放電兩類，電弧屬于氣體自持放電中的弧光放電。試驗證明，當在大氣中開斷或閉合電壓超過10V、電流超過0.5A的電路時，在觸頭間隙（或稱弧隙）中會產生一團溫度極高、亮度極強并能導電的氣體，稱為電弧。由于電弧的高溫及強光，它可以廣泛應用于焊接、熔煉、化學合成、強光源及空間技術等方面。對于有觸點電器而言，由于電弧主要產生于觸頭斷開電路時，高溫將燒損觸頭及絕緣，嚴重情況下甚至引起相間短路、電器，從而釀成火災、危及人員及設備的安全。按外殼分：玻璃真空滅弧室、陶瓷真空滅弧室。

近陽極區(qū)的長度約等于近陰極區(qū)的幾倍。在電場力的作用下自由電子向陽極運動，它們聚集在陽極附近且不斷被陽極吸收而形成電流。在此區(qū)域內聚集著大量的電子形成負的空間電荷層，產生陽極壓降，其值也隨陽極材料而異，但變化不大，稍小于陰極壓降。由于近陽極區(qū)的長度比近陰極區(qū)的長，故其電場強度較小。陰極壓降與陽極壓降的數值幾乎與電流大小無關，在材料及介質確定后可以認為是常數。弧柱區(qū)的長度幾乎與兩電極間的距離相同。是電弧中溫度比較高、亮度**強的區(qū)域。因在自由狀態(tài)下近似圓柱形，故稱弧柱區(qū)。在此區(qū)中正、負電粒子數相同，稱等離子區(qū)。由于不存在空間電荷，整個弧區(qū)的特性類似于一金屬導體。每單位弧柱長度電壓降相等。其電位梯度臣也為一常數，電位梯度與電極材料、電流大小、氣體介質種類和氣壓等因素有關.吸收一部分電弧能量，冷凝電弧生成物。徐匯區(qū)定制真空滅弧室特點

QT.9-ZK測試儀實現10??---10?1Pa級別真空度檢測，內置國內外幾乎所有真空滅弧室的測量曲線。金山區(qū)質量真空滅弧室設計

若借助一定的儀器仔細觀察電弧，可以發(fā)現，除兩個極（觸頭）外，明顯的分為三個區(qū)域，即近陰極區(qū)、近陽極區(qū)及弧柱區(qū)，如圖1所示。近陰極區(qū)的長度約等于電子的平均自由行程（小于10-6m）。在電場力的作用下正離子向陰極運動，造成此區(qū)域內聚集著大量的正離子而形成正的空間電荷層，使陰極附近形成高電場強度（約為10+6~10+7V/m）。正的空間電荷層形成陰極壓降，其數值隨陰極材料和氣體介質的不同而有所變化，但變化不大，約在10～20V之間。金山區(qū)質量真空滅弧室設計

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