IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應(yīng)用中不是一個特別有用的參數(shù)，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。也可以將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。普陀區(qū)本地驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

在Windows 9x下，驅(qū)動程序按照其提供的硬件支持可以分為:聲卡驅(qū)動程序、顯卡驅(qū)動程序、鼠標驅(qū)動程序、主板驅(qū)動程序、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備驅(qū)動程序、打印機驅(qū)動程序、掃描儀驅(qū)動程序等等。為什么沒有CPU、內(nèi)存驅(qū)動程序呢？因為CPU和內(nèi)存無需驅(qū)動程序便可使用，不僅如此，絕大多數(shù)鍵盤、鼠標、硬盤、軟驅(qū)、顯示器和主板上的標準設(shè)備都可以用Windows自帶的標準驅(qū)動程序來驅(qū)動，當(dāng)然其它特定功能除外。如果你需要在Windows系統(tǒng)中的DOS模式下使用光驅(qū)，那么還需要在DOS模式下安裝光驅(qū)驅(qū)動程序。金山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)打印機驅(qū)動程序使計算機能夠識別和使用打印機。

推挽驅(qū)動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責(zé)正負半周的波形放大任務(wù),電路工作時，兩只對稱的功率開關(guān)管每次只有一個導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負載灌電流，也可以從負載抽取電流。如果輸出級的有兩個三極管，始終處于一個導(dǎo)通、一個截止的狀態(tài)，也就是兩個三級管推挽相連，這樣的電路結(jié)構(gòu)稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當(dāng)輸出低電平時，也就是下級負載門輸入低電平時，輸出端的電流將是下級門灌入T4；當(dāng)輸出高電平時，也就是下級負載門輸入高電平時，輸出端的電流將是下級門從本級電源經(jīng) T3、D1 拉出。

表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。MOSFET驅(qū)動電路：使用MOSFET（場效應(yīng)晶體管）作為開關(guān)元件，適用于高效能的開關(guān)電源和電機驅(qū)動。

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2驅(qū)動電路，位于主電路和控制電路之間，主要作用是對控制電路的信號進行放大，使其能夠驅(qū)動功率開關(guān)器件。上海好的驅(qū)動電路銷售廠

保護措施：設(shè)計過流、過壓、過熱等保護電路，以確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。普陀區(qū)本地驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

非隔離驅(qū)動電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動芯片。按常見形式分類：直接驅(qū)動：由單個電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來組成的驅(qū)動電路，多用于功能簡單的小功率驅(qū)動場合。隔離驅(qū)動：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動、變壓器驅(qū)動以及隔離電容驅(qū)動等。**驅(qū)動集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用***，許多驅(qū)動芯片自帶保護和隔離功能。功率開關(guān)管常用驅(qū)動MOSFET驅(qū)動：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對驅(qū)動電路的功率要求不高，在低頻場合可利用三極管直接驅(qū)動，而在高頻場合多采用變壓器或**芯片進行驅(qū)動。普陀區(qū)本地驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

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