式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅，就可以構成可控整流電路。我畫一個**簡單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，可控硅被觸發導通。大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。長寧區制造可控硅售價

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。長寧區制造可控硅售價塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。當a1和a2隨發射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、***科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。

這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。虹口區特點可控硅服務熱線

額定通態電流（IT）即大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。長寧區制造可控硅售價

額定速態平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V，管壓降(通態平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅綜上所述，小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由長寧區制造可控硅售價

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