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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-09-16

“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱(chēng)TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱(chēng)為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān):ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)”。由此可見(jiàn)“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱(chēng)。雙 向:Bi-directional(取***個(gè)字母)控 制:Controlled(取***個(gè)字母)整流器:Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。相城區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)

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可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi);從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等?;⑶饏^(qū)質(zhì)量可控硅模塊報(bào)價(jià)按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。

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若欲使可控硅關(guān)斷,也有兩個(gè)關(guān)斷條件:1) 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值;2) 使 A、K 之間電壓反向??梢?jiàn),可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通,并保持一定幅度的流通電流 的話,則可控硅會(huì)一直保持開(kāi)通狀態(tài)。除非將電源開(kāi)斷一次,才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路,則在其承受正向電壓期間,若接受一個(gè)觸發(fā)信號(hào),則一直保持導(dǎo)通,直到電壓過(guò)零點(diǎn)到 來(lái),因無(wú)流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間,即使送入觸發(fā)信號(hào),可控硅也因 A、 K 間電壓反向,而保持于截止?fàn)顟B(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性,其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降,很難有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。可控硅器件控制本質(zhì)上如同三極管一樣,為電流控制器件。功率越大,所需觸發(fā)電流也 越大。

⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱(chēng)觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫(huà)出它的波形(c)及(d),只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。

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這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,要使晶閘管導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,松開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是,如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導(dǎo)通。控制極的作用是通過(guò)外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,卻不能使它關(guān)斷。那么,用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,可以斷開(kāi)陽(yáng)極電源(圖3中的開(kāi)關(guān)S)或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的最小值(稱(chēng)為維持電流)。如果晶閘管陽(yáng)極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,那么,在電壓過(guò)零時(shí),晶閘管會(huì)自行關(guān)斷。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。工業(yè)園區(qū)加工可控硅模塊品牌

使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。相城區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)

一個(gè)有趣的趨勢(shì)是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級(jí)為ipm??芍苯踊蚴褂脦?qū)動(dòng)電路(通過(guò)彈簧連接)的適配器板來(lái)進(jìn)行升級(jí)。賽米控的skypertm驅(qū)動(dòng)器是這方面理想的產(chǎn)品。  2、集成子系統(tǒng)  所有這些ipm的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”,即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉(zhuǎn)換器用集成子系統(tǒng)的**制造商。skaitm模塊也是ipm,其特點(diǎn)是集成了dsp控制器,除脈寬調(diào)制外,還可進(jìn)行其它通信任務(wù)。這些子系統(tǒng)也包含集成直流環(huán)節(jié)電容器,一個(gè)輔助電源,精密電流傳感器和一個(gè)液體冷卻器。。相城區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)

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