針對電子束曝光在異質結器件制備中的應用，科研團隊研究了不同材料界面處的圖形轉移規律。異質結器件的多層材料可能具有不同的刻蝕選擇性，團隊通過電子束曝光在頂層材料上制備圖形，再通過分步刻蝕工藝將圖形轉移到下層不同材料中，研究刻蝕時間與氣體比例對跨材料圖形一致性的影響。在氮化物 / 硅異質結器件的制備中，優化后的工藝使不同材料層的圖形線寬偏差控制在較小范圍內，保證了器件的電學性能。科研團隊在電子束曝光設備的國產化適配方面進行了探索。為降低對進口設備的依賴，團隊與國內設備廠商合作，測試國產電子束曝光系統的性能參數，針對第三代半導體材料的需求提出改進建議。通過調整設備的控制軟件與硬件參數，使國產設備在 6 英寸晶圓上的曝光精度達到實用要求，與進口設備的差距縮小了一定比例。電子束曝光推動仿生視覺芯片的神經形態感光結構精密制造。北京光掩模電子束曝光技術

在電子束曝光與離子注入工藝的結合研究中，科研團隊探索了高精度摻雜區域的制備技術。離子注入的摻雜區域需要與器件圖形精確匹配，團隊通過電子束曝光制備掩模圖形，控制離子注入的區域與深度，研究不同摻雜濃度對器件電學性能的影響。在 IGZO 薄膜晶體管的研究中，優化后的曝光與注入工藝使器件的溝道導電性調控精度得到提升，為器件性能的精細化調節提供了可能。這項研究展示了電子束曝光在半導體摻雜工藝中的關鍵作用。通過匯總不同科研機構的工藝數據，分析電子束曝光關鍵參數的合理范圍，為制定行業標準提供參考。在內部研究中，團隊已建立一套針對第三代半導體材料的中山電子束曝光工藝電子束曝光為植入式醫療電子提供長效生物界面封裝。

電子束曝光推動全息存儲技術突破物理極限，通過在光敏材料表面構建三維體相位光柵實現信息編碼。特殊設計的納米級像素單元可同時記錄振幅與相位信息，支持多層次數據疊加。自修復型抗蝕劑保障存儲單元10年穩定性，在銀行級冷數據存儲系統中實現單盤1.6PB容量。讀寫頭集成動態變焦功能，數據傳輸速率較藍光提升100倍，為數字文化遺產長久保存提供技術基石。電子束曝光革新海水淡化膜設計范式，基于氧化石墨烯的分形納米通道優化水分子傳輸路徑。仿生葉脈式支撐結構增強膜片機械強度，鹽離子截留率突破99.97%。自清潔表面特性實現抗生物污染功能，在海洋漂浮式平臺連續運行5000小時通量衰減低于5%。該技術使單噸淡水能耗降至2kWh，為干旱地區提供可持續水資源解決方案。

在量子材料如拓撲絕緣體Bi?Te?研究中，電子束曝光實現原子級準確電極定位。通過雙層PMMA/MMA抗蝕劑堆疊工藝，結合電子束誘導沉積（EBID）技術，直接構建<100納米間距量子點接觸電極。關鍵技術包括采用50kV高電壓減少背散射損傷和-30°C低溫樣品臺抑制熱漂移。電子束曝光保障了量子點結構的穩定性，為新型電子器件提供精確制造平臺。電子束曝光在納米光子器件（如等離子體諧振腔和光子晶體）中展現優勢，實現±3納米尺寸公差。定制化加工金納米棒陣列（共振波長控制精度<1.5%）及硅基光子晶體微腔（Q值>10?）時，其非平面基底直寫能力突出。針對曲面微環諧振器，電子束曝光無縫集成光柵耦合器結構。通過高精度劑量調制和抗蝕劑匹配，確保光學響應誤差降低。電子束曝光在固態電池領域優化電解質/電極界面離子傳輸效率。

電子束曝光推動高溫超導材料實用化進程，在釔鋇銅氧帶材表面構筑納米柱釘扎中心陣列。磁通渦旋精細錨定技術抑制電流衰減，77K條件下載流能力提升300%。模塊化雙面涂層工藝實現千米級帶材連續生產，使可控核聚變裝置磁體線圈體積縮小50%。在華南核聚變實驗堆中實現1億安培等離子體穩定約束。電子束曝光開創神經形態計算硬件新路徑，在二維材料表面集成憶阻器交叉陣列。多級阻變單元模擬生物突觸權重特性，光脈沖觸發機制實現毫秒級學習能力。能效比傳統CPU架構提升萬倍，在邊緣AI設備中實現實時人臉情緒識別。自動駕駛系統測試表明決策延遲降至5毫秒，事故規避成功率99.8%。電子束曝光在MEMS器件加工中實現微諧振結構的亞納米級精度控制。河南AR/VR電子束曝光服務

電子束刻蝕實現聲學超材料寬頻可調諧結構制造。北京光掩模電子束曝光技術

圍繞電子束曝光在半導體激光器腔面結構制備中的應用，研究所進行了專項攻關。激光器腔面的平整度與垂直度直接影響其出光效率與壽命，科研團隊通過控制電子束曝光的劑量分布，在腔面區域制備高精度掩模，再結合干法刻蝕工藝實現陡峭的腔面結構。利用光學測試平臺，對比不同腔面結構的激光器性能，發現優化后的腔面使器件的閾值電流降低，斜率效率有所提升。這項研究充分發揮了電子束曝光的納米級加工優勢，為高性能半導體激光器的制備提供了工藝支持，相關成果已應用于多個研發項目。北京光掩模電子束曝光技術