常見故障有:一是三極管燒毀,多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO,排查時(shí)用萬用表測(cè) CE 間電阻,若為 0Ω(短路)或無窮大(開路),說明燒毀,需更換參數(shù)匹配的三極管;二是放大能力下降,表現(xiàn)為輸出信號(hào)幅度減小,測(cè) β 值若明顯低于標(biāo)稱值,需更換三極管;三是開關(guān)失控,導(dǎo)通時(shí) CE 壓降過大(未飽和),需增大 IB(減小 RB),截止時(shí) IC 過大(漏電),需更換質(zhì)量合格的三極管;四是溫度漂移,IC 隨溫度升高而增大,需增加溫度補(bǔ)償電路(如在 RB 旁并聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻)。共基電路輸入阻抗低、輸出阻抗高,適合做電流緩沖器。醫(yī)療設(shè)備高頻NPN型晶體三極管直插封裝
隨著電子技術(shù)發(fā)展,NPN 型小功率三極管向微型化、高集成化、低功耗方向發(fā)展,如 SOT-23 封裝進(jìn)一步小型化為 SOT-323,功耗從幾百毫瓦降至幾十毫瓦。同時(shí),部分場(chǎng)景下被替代:一是集成電路替代,如放大電路用運(yùn)算放大器(如 LM358)替代分立三極管,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì);二是 MOS 管替代,MOS 管(如 N 溝道增強(qiáng)型 MOS 管 IRLML2502)在開關(guān)電路中更具優(yōu)勢(shì),導(dǎo)通電阻小、驅(qū)動(dòng)電流低,適合低功耗場(chǎng)景;三是 GaN(氮化鎵)器件替代,在高頻、高壓場(chǎng)景(如快充電路)中,GaN 器件效率更高、散熱更好。但在簡(jiǎn)單電路(如 LED 驅(qū)動(dòng)、繼電器控制)中,NPN 型小功率三極管因成本低、易用性強(qiáng),仍將長(zhǎng)期應(yīng)用。?科研領(lǐng)域批量采購(gòu)NPN型晶體三極管價(jià)格優(yōu)惠再測(cè)反向截止性,反向應(yīng)顯示 “OL”,否則 PN 結(jié)漏電。
溫度對(duì) NPN 型小功率三極管參數(shù)影響比較明顯:一是 VBE 隨溫度升高而減小,每升高 1℃,VBE 下降 2-2.5mV,可能導(dǎo)致 IB 增大、IC 漂移;二是 β 隨溫度升高而增大,每升高 10℃,β 增大 10%-20%,加劇 IC 不穩(wěn)定;三是集電極反向飽和電流 ICBO(發(fā)射極開路時(shí) CB 反向電流)隨溫度升高呈指數(shù)增長(zhǎng),每升高 10℃,ICBO 翻倍,而 ICEO(基極開路時(shí) CE 反向電流)≈(1+β) ICBO,變化更劇烈。例如在高溫環(huán)境(如汽車電子)中,需通過溫度補(bǔ)償電路(如并聯(lián)二極管)抵消溫度對(duì)參數(shù)的影響。
NPN 型小功率晶體三極管的 重要半導(dǎo)體材料多為硅,少數(shù)特殊場(chǎng)景用鍺。硅材料的優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度約 1.1eV,常溫下反向漏電流遠(yuǎn)小于鍺管,穩(wěn)定性更強(qiáng),這也是硅管成為主流的關(guān)鍵原因。例如常用的 901 系列、8050 系列均為硅管,在 25℃環(huán)境下,ICBO(集電極 - 基極反向飽和電流)通常小于 10nA;而鍺管 ICBO 可達(dá)數(shù) μA,在對(duì)成本極端敏感且工作電流極小的簡(jiǎn)易電路(如老式礦石收音機(jī))中應(yīng)用。此外,硅管的溫度耐受范圍更廣(-55℃~150℃),能適配多數(shù)民用電子設(shè)備的工作環(huán)境,鍺管則因溫度穩(wěn)定性差,逐漸被硅管取代。變壓器耦合可阻抗匹配,適合高頻功率放大,卻體積大、成本高。
NPN 型小功率三極管在開關(guān)電路中通過 IB 控制工作狀態(tài):當(dāng) IB=0(或 IB PC≤0.7PCM,VCE≤0.7V (BR) CEO,避免參數(shù)超標(biāo)損壞器件。醫(yī)療設(shè)備高頻NPN型晶體三極管直插封裝 LC 振蕩電路的頻率穩(wěn)定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定,Q 值越高,頻率穩(wěn)定性越好。小功率 NPN 管的極間電容(尤其是 Cbc)會(huì)影響 LC 回路的等效電容,導(dǎo)致頻率漂移,解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管(如 2SC3355),并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路(如共基電路),減少極間電容對(duì)回路的影響。此外,采用溫度系數(shù)小的電容(如云母電容)和電感(如密封電感),可進(jìn)一步降低溫度變化對(duì)頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中,用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管,配合云母電容(溫度系數(shù) ±50ppm/℃),頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內(nèi)。醫(yī)療設(shè)備高頻NPN型晶體三極管直插封裝 成都三福電子科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度,多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),在四川省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,成績(jī)讓我們喜悅,但不會(huì)讓我們止步,殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,和諧溫馨的工作環(huán)境,富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進(jìn)取的無限潛力,成都三福電子科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜,相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈的市場(chǎng)氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,要不畏困難,激流勇進(jìn),以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!