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工業領域小信號NPN型晶體三極管參數測試

來源: 發布時間:2025-10-04

共基放大電路以基極作為公共電極,輸入信號加在發射極和基極之間,輸出信號從集電極和基極之間取出,NPN 型小功率三極管在該電路中工作在放大區。共基放大電路的突出特點是頻率響應好,上限截止頻率高,這是因為基極交流接地,基極電容的影響較小,減少了載流子在基區的渡越時間對高頻信號的影響,因此常用于高頻放大電路中,如射頻信號放大、高頻振蕩電路等。與共射放大電路相比,共基放大電路的電壓放大倍數較高,但電流放大倍數小于 1,即沒有電流放大能力,能實現電壓放大,且輸出信號與輸入信號同相位。在實際應用時,共基放大電路常與共射放大電路組合使用,構成共射 - 共基組合放大電路,既能獲得較高的電壓放大倍數,又能擁有良好的高頻特性,滿足高頻信號放大的需求,例如在通信設備的高頻放大模塊中,就常采用這種組合電路。基極串 100Ω-1kΩ 電阻,能限制高頻干擾電流,提升抗干擾性。工業領域小信號NPN型晶體三極管參數測試

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要讓 NPN 型小功率三極管實現放大或開關功能,需滿足特定偏置:發射結正向偏置、集電結反向偏置。發射結正向偏置指基極電壓(VB)高于發射極電壓(VE),硅管正向壓降約 0.6-0.7V,此時發射區自由電子在電場作用下越過發射結進入基區;集電結反向偏置指集電極電壓(VC)高于基極電壓(VB),反向電場阻止基區空穴向集電區移動,同時 “牽引” 基區未復合的自由電子進入集電區。若偏置條件不滿足,如發射結反偏,三極管會進入截止狀態;若集電結正偏,則可能進入飽和狀態,無法實現正常放大。定制需求高精度NPN型晶體三極管老式礦石收音機用鍺管,因成本低,對性能要求也低。

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NPN 型小功率三極管在開關電路中通過 IB 控制工作狀態:當 IB=0(或 IB

LC 振蕩電路的頻率穩定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定,Q 值越高,頻率穩定性越好。小功率 NPN 管的極間電容(尤其是 Cbc)會影響 LC 回路的等效電容,導致頻率漂移,解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管(如 2SC3355),并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路(如共基電路),減少極間電容對回路的影響。此外,采用溫度系數小的電容(如云母電容)和電感(如密封電感),可進一步降低溫度變化對頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中,用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管,配合云母電容(溫度系數 ±50ppm/℃),頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內。LED 驅動中,射極輸出器串聯 15Ω 電阻,使 RL 與 ro 匹配,亮度穩定。

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用萬用表檢測三極管好壞:第一步測 PN 結正向導通性,紅表筆接 B,黑表筆接 E、C,均應顯示 0.6-0.7V(硅管),若顯示 “OL” 或壓降異常,說明發射結 / 集電結損壞;第二步測反向截止性,黑表筆接 B,紅表筆接 E、C,均應顯示 “OL”,若有導通壓降,說明 PN 結反向漏電;第三步估測 β,將萬用表調至 “hFE 檔”,根據三極管類型(NPN)插入對應插槽,顯示 β 值,若 β<10 或無顯示,說明三極管放大能力失效。例如檢測 9013 管,若 B-E、B-C 正向壓降正常,反向截止,β=80-120,說明三極管完好。繼電器驅動電路中,需并續流二極管防線圈反向電動勢擊穿三極管。華南地區高可靠性NPN型晶體三極管參數測試

直接耦合無電容,適合低頻和直流,易集成但有零點漂移。工業領域小信號NPN型晶體三極管參數測試

ICEO 是基極開路時集電極 - 發射極反向電流,ICEO≈(1+β) ICBO,因 β 和 ICBO 均隨溫度升高而增大,ICEO 的溫度敏感性極強,會導致電路靜態電流增大,功耗上升。抑制 ICEO 的方法:一是選擇 ICBO 小的硅管,硅管 ICBO 遠小于鍺管;二是在基極與地之間接泄放電阻 RB,使 IB=ICEO/(1+β),減小 ICEO 對 IC 的影響;三是采用分壓式偏置電路,通過 RE 的負反饋穩定 IC。例如在高精度電流源電路中,基極接 100kΩ 泄放電阻,當 ICEO=10μA(β=100)時,IB=0.1μA,對 IC 的影響可忽略不計,確保電流源輸出穩定。工業領域小信號NPN型晶體三極管參數測試

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