三極管BE結的非線性（相當于一個二極管），基極電流必須在輸入電壓 大到一定程度后才能產生（對于硅管，常取0.7V）。當基極與發射極之間的電壓小于0.7V時，基極電流就可以認為是0。但實際中要放大的信號往往遠比 0.7V要小，如果不加偏置的話，這么小的信號就不足以引起基極電流的改變（因為小于0.7V時，基極電流都是0）。如果我們事先在三極管的基極上加上一 個合適的電流（叫做偏置電流，上圖中那個電阻Rb就是用來提供這個電流的，所以它被叫做基極偏置電阻），那么當一個小信號跟這個偏置電流疊加在一起時，小 信號就會導致基極電流的變化，而基極電流的變化，就會被放大并在集電極上輸出。三極管按結構工藝分：合金管、平面管。杭州恒流三極管參數

發射結加正偏時，從發射區將有大量的電子向基區擴散，形成的電流為IEN。與PN結中的情況相同。從基區向發射區也有空穴的擴散運動，但其數量小，形成的電流為IEP。這是因為發射區的摻雜濃度遠大于基區的摻雜濃度。 進入基區的電子流因基區的空穴濃度低，被復合的機會較少。又因基區很薄，在集電結反偏電壓的作用下，電子在基區停留的時間很短，很快就運動到了集電結的邊上，進入集電結的結電場區域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區被復合的電子形成的電流是 IBN。 另外，因集電結反偏，使集電結區的少子形成漂移電流ICBO。南通三極管用途三極管產品參數PCM大允許耗散功率。

三極管的工作原理：放大原理因三極管三個區制作工藝的設定以及內部的兩個PN結相互影響，使三極管呈現出單個PN結所沒有的電流放大的功能。外加偏置電源配置：要求發射結正偏，集電結反偏。三極管在實際的放大電路中使用時，還需要外加合適的偏置電路。原因是：由于三極管BE結的非線性，基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產生(對于硅管，常取0.7v)。當基極與發射極之間的電壓小于0.7v時，基極電流就可以認為是0。放大區的特點是，隨著IB的增加，IC也增加，IC主要受控于IB，與VCE關系不大，上圖清晰地描述了這個現象。通俗點說就是用IB來控制IC，所有三極管是電流控制型器件。還是以水杯模型來加深記憶，放大狀態的水杯中，不管水杯高度VCE是多高，IC的高度只受控于IB。

三極管放大電路的原理：信號放大輸入信號Ui經C1耦合到VT的基極，使VT的基極電流Ib隨Ui變化而變化，致使VT的發射極電流Ie隨之變化，并且變化量為（1+β）Ib。Ie在R2兩端產生隨之變化的壓降U2。U2經C2耦合后得到交流輸出信號Uo。由于Uo與Ui的相位相同，所以該放大器也叫射極跟隨放大器，簡稱射極跟隨器。通過以上分析可知，共集電極放大器的輸入信號Ui是從放大器的基極、發射極之間輸入的，輸出信號Uo取自發射極。由于U2等于Ub?0.6V，所以該放大器有電流放大功能，而沒有電壓放大功能。三極管選擇“開關三極管”，以提高開關轉換速度。

三極管放大原理發射區向基區發射電子電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子（自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由于多數載流子濃度遠低于發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。電子進入基區后，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。三極管作為開關時需注意它的可靠性；在基極人為接入了一個負電源VEE，即可解決它的可靠性。杭州恒流三極管參數

三極管兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區。杭州恒流三極管參數

三極管的 β 值不是一個不變的常數。在實際使用中，調整三極管的集電極電流 I ， β 值會隨著發生變化。一般說來，在 I c 很小（例如幾十微安）或很大（即接近集電極大允電流 I CM ）時， β 值都比較小，在 1mA 以上相當寬的范圍內，小功率管的 β 值都比較大，所以，同學們在調試放大電路時，要確定合適的工作電流 I c ，以獲得佳放大狀態。另外， β 值也和三極管的其它參數一樣，跟溫度有密切的關系。溫度升高， β 值相應變大。一般溫度每升高 1℃ ， β 值增加 0.5 ％～ 1 ％。杭州恒流三極管參數

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