2、BQFP（quad flat package with bumper）帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起（緩沖墊）以防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右（見QFP）。3、C－（ceramic）表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號。4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP（數(shù)字信號處理器）等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為DIP－G（G即玻璃密封的意思）。DIP是普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。宜興節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。常州好的集成電路銷售方法陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。

當(dāng)沒有特別表示出材料時(shí)，多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規(guī)格。0.65mm中心距規(guī)格中**多引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)對QFP的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評價(jià)。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。

但是，當(dāng)印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點(diǎn)難于作到QFP的引腳那樣多，一般從14到100左右。材料有陶瓷和塑料兩種。當(dāng)有LCC標(biāo)記時(shí)基本上都是陶瓷QFN。電極觸點(diǎn)中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點(diǎn)中心距除1.27mm外，還有0.65mm和0.5mm兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC等。44、QFP（quad flat package）四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個(gè)側(cè)面引出呈海鷗翼（L）型。基材有陶瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分。用集成電路來裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也可提高。

因而得此稱呼。引腳數(shù)從14到90。也有稱為SH－DIP的。材料有陶瓷和塑料兩種。53、SH－DIP（shrink dual in-line package）同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。54、SIL（single in-line）SIP的別稱（見SIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL這個(gè)名稱。55、SIMM（single in-line memory module）單列存貯器組件。只在印刷基板的一個(gè)側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標(biāo)準(zhǔn)SIMM 有中心距為2.54mm的30電極和中心距為1.27mm的72電極兩種規(guī)格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ封裝的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已經(jīng)在個(gè)人計(jì)算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有30～40%的DRAM都裝配在SIMM里。模擬集成電路又稱線性電路,用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時(shí)間變化的信號。無錫標(biāo)準(zhǔn)集成電路銷售廠家

任何瞬間的短路都容易損壞集成電路，尤其在測試扁平型封裝的CMOS集成電路時(shí)更要加倍小心。宜興節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。宜興節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

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