按外形分集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用于大功率)、扁平型(穩(wěn)定性好,體積小)和雙列直插型。集成電路發(fā)展歷史中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代,共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:1965年-1978年:以計(jì)算機(jī)和**配套為目標(biāo),以開(kāi)發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn)品,初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件1978年-1990年:主要引進(jìn)美國(guó)二手設(shè)備,改善集成電路裝備水平,在“治散治亂”的同時(shí),以消費(fèi)類(lèi)整機(jī)作為配套重點(diǎn),較好地解決了彩電集成電路的國(guó)產(chǎn)化同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名(見(jiàn)DTCP)。蘇州名優(yōu)集成電路市價(jià)
美國(guó)Olin公司開(kāi)發(fā)的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材,用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W~2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開(kāi)始生產(chǎn)。31、MSP(mini square package)QFI的別稱(chēng)(見(jiàn)QFI),在開(kāi)發(fā)初期多稱(chēng)為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱(chēng)。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模壓樹(shù)脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國(guó)Motorola公司對(duì)模壓樹(shù)脂密封BGA采用的名稱(chēng)(見(jiàn)BGA)。32、P-(plastic)表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC(pad array carrier)錫山區(qū)常見(jiàn)集成電路圖片本文是關(guān)于單片(monolithic)集成電路,即薄膜集成電路。
21、JLCC(J-leaded chip carrier)J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(chēng)(見(jiàn)CLCC和QFJ)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(chēng)。22、LCC(Leadless chip carrier)無(wú)引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無(wú)引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝,也稱(chēng)為陶瓷QFN或QFN-C(見(jiàn)QFN)。23、LGA(land grid array)觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可。現(xiàn)已實(shí)用的有227觸點(diǎn)(1.27mm中心距)和447觸點(diǎn)(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。
9、DIL(dual in-line)DIP的別稱(chēng)(見(jiàn)DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱(chēng)。10、DIP(dual in-line package)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI,微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱(chēng)為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分,只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱(chēng)為DIP。另外,用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱(chēng)為cerdip(見(jiàn)cerdip)。表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。
使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層。然后使用微影、擴(kuò)散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件,然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線,如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量,導(dǎo)線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成,每層由圖像技術(shù)定義,通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴(kuò)散進(jìn)基層(成為擴(kuò)散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導(dǎo)體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導(dǎo)層之間的連接(過(guò)孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。表示帶散熱器的標(biāo)記。例如,HSOP表示帶散熱器的SOP。宜興常見(jiàn)集成電路廠家供應(yīng)
QFI的別稱(chēng)(見(jiàn)QFI),在開(kāi)發(fā)初期多稱(chēng)為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱(chēng)。蘇州名優(yōu)集成電路市價(jià)
因而得此稱(chēng)呼。引腳數(shù)從14到90。也有稱(chēng)為SH-DIP的。材料有陶瓷和塑料兩種。53、SH-DIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(chēng)。54、SIL(single in-line)SIP的別稱(chēng)(見(jiàn)SIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL這個(gè)名稱(chēng)。55、SIMM(single in-line memory module)單列存貯器組件。只在印刷基板的一個(gè)側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標(biāo)準(zhǔn)SIMM 有中心距為2.54mm的30電極和中心距為1.27mm的72電極兩種規(guī)格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ封裝的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已經(jīng)在個(gè)人計(jì)算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有30~40%的DRAM都裝配在SIMM里。蘇州名優(yōu)集成電路市價(jià)
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