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六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí)，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的**小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的**小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上...

由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上...

另外在化工、煤礦、鋼鐵和等一些要求特殊的裝置和惡劣的工作環(huán)境中，以及要求工作高可靠的場(chǎng)合中，LSR都比傳統(tǒng)的繼電器有無可比擬的優(yōu)越**流固態(tài)繼電器工作原理：LSR實(shí)際是一個(gè)受控的電力電子開關(guān)，其等效電路如圖1。圖2普通型交流LSR內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖一般情況下，萬用表不能判別LSR的好壞，正確的方法采用圖3的測(cè)試電路：當(dāng)輸入電流為零時(shí)，電壓表測(cè)出的電壓為電網(wǎng)電壓，電燈不亮（燈泡功率須25W以上）；當(dāng)輸入電流達(dá)到一定值以后，電燈亮，電壓表測(cè)出的電壓為LSR導(dǎo)通壓降（在2V以下）。因LSR內(nèi)部有RC回路而帶來漏電流，因此不能等同于普通觸點(diǎn)式的繼電器、接觸器,不能作隔離開關(guān)用。圖3LSR測(cè)試電路㈡...

500Vdc）比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網(wǎng)頻率47-63Hz㈥不同電流等級(jí)的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅(qū)動(dòng)電路在邏輯電路驅(qū)動(dòng)時(shí)應(yīng)盡可能采用低電平輸出進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，以保證有足夠的帶負(fù)載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅(qū)動(dòng)的電路圖（一般適合于D3、D2型）：D1型（4-8Vdc）通常與單相或三相LSR移相觸發(fā)器配合使用。A3型（90-430Vac）為交流控制交流型，在90-430Vac極寬的范圍內(nèi)均能可靠觸發(fā)繼電器導(dǎo)通，且輸入與輸出沒有相位要求：㈧LSR過壓的保護(hù)：除LSR內(nèi)部本身有RC吸收回路保護(hù)外，還可以采取并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻（MOV），MOV面積...

當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流...

焊機(jī)晶閘管模塊故障維修1、松下焊機(jī)晶閘管模塊的型號(hào)及組成結(jié)構(gòu)：松下焊機(jī)維修KR1系列焊機(jī)模塊型號(hào)見下表;2、松下焊機(jī)模塊的測(cè)量模塊的陰陽極電阻一般為兆歐極，陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測(cè)量方法如下圖所示：KR1系列焊機(jī)模塊陰控極阻值見下表：另外請(qǐng)注意：在焊機(jī)上測(cè)量模塊陰控極電阻時(shí)，需將與其相連的觸發(fā)信號(hào)線拔下：測(cè)量陰陽極的電阻時(shí)，也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡(jiǎn)介：（1）陰控極或陰陽極斷路：如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐），該組晶閘管就不能被觸發(fā)：而某一組晶閘管的陰、陽極發(fā)生斷路時(shí)，即便有觸發(fā)信號(hào)，該組晶閘管也不能導(dǎo)通。以上兩種情況會(huì)造成焊機(jī)輸出缺相，所表現(xiàn)出的...

如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對(duì)于大功率晶閘管，必須按手冊(cè)申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件，以保證管子工作時(shí)的溫度不超過結(jié)溫。②晶閘管在使用中發(fā)生超越和短路現(xiàn)象時(shí)，會(huì)引發(fā)過電流將管子燒毀。對(duì)于過電流，一般可在交流電源中加裝快速保險(xiǎn)絲加以保護(hù)。快速保險(xiǎn)絲的熔斷時(shí)間極短，一般保險(xiǎn)絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開時(shí)，有可能在晶閘管的導(dǎo)通或阻斷對(duì)出現(xiàn)過壓現(xiàn)象，將管子擊穿。對(duì)于過電壓，可采用并聯(lián)RC吸收電路的方法。因?yàn)殡娙輧啥说碾妷翰荒芡蛔儯灾灰诰чl管的陰極及陽極間并取RC電路，就可以削弱電源瞬間出現(xiàn)的過電壓，起到保護(hù)晶閘管的作用。當(dāng)然也可以采用壓敏電...

晶閘管模塊電流規(guī)格的選取 1、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取 （1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍。 （2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。 （3）負(fù)載電流變化較大時(shí)，電流倍數(shù)適當(dāng)增大。 （4）在運(yùn)行過程中，負(fù)載的實(shí)際工作電流不應(yīng)超過模塊的較大電流。 2、散熱器風(fēng)機(jī)的選用 模塊正常工作時(shí)必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶是自己提供的，則使用以下原則來選擇： （1）模塊正常工作時(shí)，必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃； （2）當(dāng)模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻； （3...

它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界...

下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但應(yīng)當(dāng)說明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一...

大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長8...展開全文一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號(hào)說明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測(cè)試內(nèi)容主要分三項(xiàng)：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)），電阻值應(yīng)為5～10Ω。若阻值為零，證明內(nèi)部二極管短路；電阻為無窮大，說明二極管開路。2．測(cè)量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直...

以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有專用測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只...

在快速無功補(bǔ)償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC，。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式。針對(duì)不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發(fā)電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點(diǎn)觸發(fā)，確定晶閘管電壓過零點(diǎn)的方法有兩種，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號(hào)，另一種是從晶閘管的陽極和陰極取得過零信號(hào)。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時(shí)無電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，無沖擊電流；2.光電隔離，抗干擾能力強(qiáng)，響應(yīng)時(shí)間＜15ms...

紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時(shí)，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí)，兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的...

硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏...

額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護(hù)晶閘管在電流通過時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí)，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否...

3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。針對(duì)形成過電壓的不同原因，可以采取不同的方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時(shí)，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí)，兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的...

1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司獨(dú)立開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口方形芯片、高級(jí)芯片支撐板，模塊壓降小、功耗低，效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板，經(jīng)獨(dú)特處理方法和特殊焊接工藝，保證焊接層無空洞，導(dǎo)熱性能好。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)...

焊機(jī)晶閘管模塊故障維修1、松下焊機(jī)晶閘管模塊的型號(hào)及組成結(jié)構(gòu)：松下焊機(jī)維修KR1系列焊機(jī)模塊型號(hào)見下表;2、松下焊機(jī)模塊的測(cè)量模塊的陰陽極電阻一般為兆歐極，陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測(cè)量方法如下圖所示：KR1系列焊機(jī)模塊陰控極阻值見下表：另外請(qǐng)注意：在焊機(jī)上測(cè)量模塊陰控極電阻時(shí)，需將與其相連的觸發(fā)信號(hào)線拔下：測(cè)量陰陽極的電阻時(shí)，也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡(jiǎn)介：（1）陰控極或陰陽極斷路：如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐），該組晶閘管就不能被觸發(fā)：而某一組晶閘管的陰、陽極發(fā)生斷路時(shí)，即便有觸發(fā)信號(hào)，該組晶閘管也不能導(dǎo)通。以上兩種情況會(huì)造成焊機(jī)輸出缺相，所表現(xiàn)出的...

它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來方便地改變負(fù)載的交流工作電壓，從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場(chǎng)合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強(qiáng)型的區(qū)別在感性負(fù)載的場(chǎng)合，當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時(shí)，由于電流、電壓的相位不一致，將產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時(shí)關(guān)斷，甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài)，只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響，由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強(qiáng)型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了...

公司是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)、制作、銷售于一體的高新技術(shù)企業(yè)公司主要產(chǎn)品：MTC（A、K、X）、MDC（A、K）、MFC（A、K、X）系列功率半導(dǎo)體模塊；MDS、MDQ、MFQ、MFF系列單相、三相整流橋模塊；BJD（H）系列單相、BJT（H）系列三相固繼電器；晶閘管智能模塊；ZP、ZK系列整流管；KP、KK、KS系列晶閘管；各種功率組件；電力電子器件用散熱器等。公司系列產(chǎn)品服務(wù)于電力、冶金、石油、煤炭、環(huán)保、航天、有色金屬、家用電器等領(lǐng)域。以產(chǎn)品種類齊全、品質(zhì)可靠、供貨及時(shí)、服務(wù)誠信博得國內(nèi)外客戶的一致好評(píng)。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創(chuàng)新、追求”的宗旨，...

晶閘管模塊產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、芯片與基板電絕緣，電壓2500V； 2、 國際標(biāo)準(zhǔn)封裝； 3、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和動(dòng)力循環(huán)能力； 4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC； 5、200A以下為強(qiáng)制風(fēng)冷，300A以上模塊，可以選擇風(fēng)冷或水冷。 6、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。 典型應(yīng)用： 直流電源、交流開關(guān)、焊接設(shè)備、電機(jī)控制、調(diào)光、變頻器、UPS電源、無觸點(diǎn)開關(guān)、電機(jī)軟起動(dòng)、蓄電池充放電、靜態(tài)無功功率補(bǔ)償、工業(yè)加熱控制、各種整流電源。 正高電氣為企業(yè)打造高水準(zhǔn)、高質(zhì)量的產(chǎn)品。連云港三相整流調(diào)壓模塊品牌 三）按封裝形式分類...

即俗稱底板是否帶電。絕緣型的模塊多用在交流焊機(jī)中，如應(yīng)用于點(diǎn)焊、電阻焊機(jī)中的晶閘管模塊MTX系列；應(yīng)用于CO2氣體保護(hù)焊機(jī)、WSM普通焊機(jī)等MTG系列模塊。各焊機(jī)應(yīng)用晶閘管模塊在下表中簡(jiǎn)述：整機(jī)種類使用模塊常見主回路形式電路特點(diǎn)S可控硅直流氬弧焊機(jī)MFG單相全波整流CO2氣保焊機(jī)MDG雙反星并聯(lián)（帶平衡電抗器）CO2氣保焊機(jī)MTG雙反星并聯(lián)（帶平衡電抗器）逆變焊機(jī)變頻器MDCMDQMDS單相或三相整流橋點(diǎn)焊機(jī)MTXMTC電子開關(guān)三、CO2焊機(jī)專用晶閘管MTG模塊：l模塊內(nèi)部電路圖：l焊機(jī)專用MTG模塊特點(diǎn)簡(jiǎn)介：2MTG模塊是由三只共陽極晶閘管封裝在一起的模塊化結(jié)構(gòu)組件。模塊內(nèi)管芯參數(shù)針...

三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘...

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所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外，所述晶閘管單元中，所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座。綜上所述，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特...

晶閘管模塊產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、芯片與基板電絕緣，電壓2500V； 2、 國際標(biāo)準(zhǔn)封裝； 3、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和動(dòng)力循環(huán)能力； 4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC； 5、200A以下為強(qiáng)制風(fēng)冷，300A以上模塊，可以選擇風(fēng)冷或水冷。 6、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。 典型應(yīng)用： 直流電源、交流開關(guān)、焊接設(shè)備、電機(jī)控制、調(diào)光、變頻器、UPS電源、無觸點(diǎn)開關(guān)、電機(jī)軟起動(dòng)、蓄電池充放電、靜態(tài)無功功率補(bǔ)償、工業(yè)加熱控制、各種整流電源。 正高電氣以顧客為本，誠信服務(wù)為經(jīng)營理念。電磁吸盤晶閘管智能調(diào)壓模塊品牌 下面描述中的附...